应对多样半导体器件,替换既有设备的理想选择
缩小投影倍率5倍 i线步进式光刻机「NSR-2205iL1」发售
2023年8月31日
产品新闻
缩小投影倍率5倍 i线步进式光刻机「NSR-2205iL1」
株式会社尼康(社长:Toshikazu Umatate,东京都港区)为应对功率半导体、通信用半导体,MEMS等各种器件,发售与既有设备替换性高的缩小投影倍率5倍 i线步进式光刻机NSR-2205iL1。该设备性价比优异,对晶圆材质的包容性强,能为各种半导体器件的高效率生产做出贡献。为时隔25年※1发售的缩小投影倍率为5倍的i线步进式光刻机。
※1 以「NSR- 2205i14E2」从1999年接单起算
发售概况
商品名 | 缩小投影倍率5倍 i线步进式光刻机NSR-2205iL1 |
发售时间 | 2024年夏季左右 |
开发背景
随着电动汽车和高速通信,各种IT设备的普及,与此相应的半导体的需求也不断升高。为应对多样的半导体性能的要求,客户对曝光设备的要求也越来越复杂和精密。
迄今为止,尼康一直通过翻新二手设备来满足客户的的需求。为了缓解客户既有设备老化以及新i线设备供需紧张的矛盾,尼康基于”客户伴走活动”所知,推出缩小投影倍率5倍i线步进式光刻机来提供客户最合适的解决方案。此外,通过扩充对应不同需求的产品选项,尼康会持续地,长期地支持半导体客户的生产。
主要特点
■ 应对多样化需求,实现高性价比
多点自动对焦(AF)以实现晶圆测量高精度化,晶圆台Leveling※2性能增强、Wide DOF(焦点深度范围扩大)等,使各种半导体制造工艺保持良率水准的同时,实现较高生产性能。此外,晶圆的厚度、大小、翘曲的对应范围加强后,亦可适用于SiC(碳化硅 )和GaN(氮化镓)等素材,用途上也得以更加广泛使用。如此通过应对多样化需求,实现了高性价比。
※2 在曝光过程中使晶圆台倾斜,以补偿曝光图像与基底表面之间的偏差。
■ 与既有设备的高兼容性
正在使用尼康的i线曝光设备的客户,所持有的原有资产(mask、recipes等)可以继续使用,可以轻松替代既有设备。
■ 为长期使用而设计的设备
设备中使用的一部分零件由特定品到市场上流通性高的通用品的替代,与之前相比零件的购入更加简单,以实现设备的长期使用。
主要性能
分辨率 | ≦ 350 nm※3 |
NA | 0.45 |
曝光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
缩小倍率 | 1:5 |
最大曝光范围 | 22 mm x 22 mm |
重合精度 | SMO※4 : ≦ 70 nm※3 |
※3 option选项
※4 SMO (Single Machine Overlay):同一型号机器之间的重合精度